|
|
 |
技術(shù)文章 |
 |
|
示波器常用名詞術(shù)語(yǔ)解釋 |
發(fā)布日期：[2012-08-03] 共閱[4799]次 |
揚(yáng)州拓普電氣科技有限公司是示波器專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)廠家， 示波器常用名詞術(shù)語(yǔ)拓普電氣為您解釋?zhuān)?/p> 1 導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱(chēng)為半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，*純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。E50601010104
5 雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性能就會(huì)發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。E50601010105
6 N型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)元素（如磷（P）、砷（As））的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體。E50601010106
7 P型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)元素（如硼（B）、銦（In））的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱(chēng)為空穴?？昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)，通?？蓪⒖昭ㄒ暈閹д姷牧Ｗ?。E50601010108
9 載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動(dòng)的電荷統(tǒng)稱(chēng)為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴(kuò)散（diffusion）：在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，多數(shù)載流子的這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散。擴(kuò)散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴(kuò)散產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)，稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)，簡(jiǎn)稱(chēng)漂移。漂移和擴(kuò)散產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結(jié)（PN junction）：由于載流子的擴(kuò)散和漂移，在P區(qū)和N區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個(gè)空間電荷區(qū)（space-charge region），這個(gè)空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)也稱(chēng)為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴(kuò)散到對(duì)方并被復(fù)合掉，或者說(shuō)多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個(gè)空間電荷區(qū)也稱(chēng)為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散起阻擋作用，所以這個(gè)空間電荷區(qū)又稱(chēng)為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結(jié)上外加一定的電壓，稱(chēng)為偏置。在PN結(jié)上加正向電壓，稱(chēng)為正向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)正偏（forward bias）；在PN結(jié)上加反向電壓，稱(chēng)為反向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個(gè)PN結(jié)的P區(qū)和N區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱(chēng)為半導(dǎo)體二極管。E50601020101
17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)〞r(shí)其兩端所加的電壓稱(chēng)為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系稱(chēng)為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區(qū)（dead zone）：當(dāng)二極管所加的正向電壓較小時(shí)，由于外部電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所造成的阻力，因此這時(shí)的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱(chēng)為“死區(qū)”。E50601020203
20 zui大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時(shí)所能承受的zui高反向電壓。一般規(guī)定zui大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會(huì)使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無(wú)關(guān)，故此時(shí)的反向電流通常稱(chēng)為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。將整流輸出的單向脈動(dòng)電壓變換為脈動(dòng)程度小的平滑直流電壓的過(guò)程稱(chēng)為濾波。E50605020001
24 參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱(chēng)為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊(cè)中查到。E50601020301
25 穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱(chēng)齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路。E50601020401
26 溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個(gè)電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來(lái)表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱(chēng)為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時(shí)，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時(shí)，溫度系數(shù)為負(fù)。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個(gè)電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個(gè)電極的電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱(chēng)為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)發(fā)射極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共發(fā)射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)集電極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共集電極電路，也稱(chēng)為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)基極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸入特性。一般用曲線表示，稱(chēng)為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時(shí)的電流放大系數(shù)α、共射極接法時(shí)的電流放大系數(shù)β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發(fā)射極反向飽和電流又稱(chēng)穿透電流，是指當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間流過(guò)的電流。E50601030402
37 集電極zui大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極zui大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)（功率與電壓未超過(guò)額定值，一般指β值沒(méi)有下降到正常參數(shù)的 時(shí)）集電極電流的zui大值。E50601030403
38 集電極zui大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時(shí)，集電結(jié)的功率zui大值，如果超過(guò)此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號(hào)（電流、電壓或功率）比輸入信號(hào)大，稱(chēng)為放大。其實(shí)質(zhì)是通過(guò)電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉(zhuǎn)化為負(fù)載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號(hào)時(shí)放大電路的等效電路稱(chēng)為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號(hào)較?。ㄎ⒆冃盘?hào)）時(shí)，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進(jìn)行分析，這種特定的分析方法稱(chēng)為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的靜態(tài)。 E50602020001
43 靜態(tài)工作點(diǎn)（quiescent operating point）：靜態(tài)時(shí)，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對(duì)應(yīng)的工作點(diǎn)，用Q表示。E50602020002
44 靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。E50602020003
45 動(dòng)態(tài)（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的動(dòng)態(tài)。E50602030001
46 動(dòng)態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動(dòng)態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對(duì)信號(hào)源（或?qū)η凹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)是一個(gè)負(fù)載，它可以用一個(gè)等效電阻來(lái)替代，這個(gè)等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對(duì)負(fù)載（或?qū)蠹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)，可以等效為一個(gè)電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號(hào)能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開(kāi)環(huán)（open-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入不存在任何作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為開(kāi)環(huán)。E50603020102
51 閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入存在作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為閉環(huán)。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之比的模量稱(chēng)為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對(duì)數(shù)表達(dá)，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號(hào)的波形未能*復(fù)現(xiàn)輸入信號(hào)的波形的現(xiàn)象稱(chēng)為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱(chēng)為非線性失真，其特點(diǎn)是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱(chēng)為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱(chēng)為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類(lèi)互補(bǔ)功放電路里,兩個(gè)功放管交替工作，在信號(hào)過(guò)零前后功放管靜態(tài)工作電流接近零，功放管進(jìn)入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱(chēng)為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分?jǐn)?shù)稱(chēng)為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過(guò)圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱(chēng)為圖解法。E50602020203
61 耦合（coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間的連接稱(chēng)為耦合。E50602060101
62 阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間通過(guò)電阻、電容連接的方式稱(chēng)為阻容耦合。E50602060102
63 變壓器耦合（transformer coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間通過(guò)變壓器傳遞信號(hào)的方式稱(chēng)為變壓器耦合。E50602060103
64 直接耦合（direct coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間直接連接的方式稱(chēng)為直接耦合。E50602060104
65 光電耦合（photoelectric coupling）：利用光電效應(yīng)進(jìn)行放大器之間信號(hào)傳遞的方式稱(chēng)為光電耦合。E50602060105
66 光電效應(yīng)（photoeffect）：指可見(jiàn)光、紅外線或紫外線在某些物質(zhì)上照射而引起的電子發(fā)射的過(guò)程。例如某些半導(dǎo)體材料受到光照時(shí)，其材料的電導(dǎo)率顯著增加。E50602060106
67 零點(diǎn)漂移（zero drift）：零點(diǎn)漂移是指在放大電路中，當(dāng)輸入端無(wú)輸入信號(hào)時(shí)，輸出端的電壓受外界因素影響偏離初始值，在初值上下漂動(dòng)的（不穩(wěn)定的）現(xiàn)象，簡(jiǎn)稱(chēng)零漂。E50603010101
70 虛短（virtual short）：工作在線性區(qū)域的集成運(yùn)算放大器，其兩個(gè)輸入端之間的電壓通常接近于零，即同相端的電位近似等于反相端的電位，這種近似短接，其實(shí)并未短接的現(xiàn)象稱(chēng)為虛短路，簡(jiǎn)稱(chēng)“虛短”。E50603010302
71 虛地（virtual ground）：工作在線性區(qū)域的反相輸入運(yùn)算放大器，因同相輸入端接地，根據(jù)“虛短”的結(jié)論，其反相輸入端的電位接近于“地”電位，其實(shí)并未接地，將這種現(xiàn)象稱(chēng)之為“虛地”。E50603010303
72 虛斷（virtual break）：工作在線性區(qū)域的理想運(yùn)算放大器，由于其輸入電阻無(wú)窮大，同相輸入端和反相輸入端的輸入電流幾乎為零，這種相當(dāng)于斷路，其實(shí)并不能斷路的狀態(tài)稱(chēng)之為“虛斷”。E50603010304
74 集成運(yùn)算放大器（operational amplifier）：一種增益*的多級(jí)直接耦合放大器，是一種重要模擬集成電路。E50603010102
84 復(fù)合晶體管（compound-connected transistor）：將兩只或多只三極管的電極通過(guò)適當(dāng)連接，作為一個(gè)管子來(lái)使用，即組成復(fù)合晶體管，或稱(chēng)達(dá)林頓（Darlington）管。E50602070203
85 自激振蕩（oscillation）：當(dāng)放大電路的輸入端無(wú)外加信號(hào)，而它的輸出端仍有一定頻率和幅度的信號(hào)輸出，這種現(xiàn)象稱(chēng)為自激振蕩。工程上常利用正反饋產(chǎn)生自激振蕩。E50604010001
86 選頻網(wǎng)絡(luò)（frequency-selective network）：利用網(wǎng)絡(luò)的諧振特性，將信號(hào)中與網(wǎng)絡(luò)諧振頻率相等的成分輸出給負(fù)載，而將其他頻率的信號(hào)加以抑制，具有該功能的網(wǎng)絡(luò)稱(chēng)為選頻網(wǎng)絡(luò)。E50604010101
87 夾斷電壓 （pinch-off voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，耗盡型MOS管中，使漏電流等于某一微小值時(shí)，柵—源極間所加的偏壓就是夾斷電壓。增強(qiáng)型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040301
88 開(kāi)啟電壓 （threshold voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，增強(qiáng)型MOS管開(kāi)始導(dǎo)通（漏電流出現(xiàn)）的zui小的柵源電壓值就是開(kāi)啟電壓。耗盡型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040302
89 飽和漏極電流 （saturation drain current）：耗盡型MOS管在柵源電壓為零（即 ）的條件下，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流稱(chēng)為飽和漏極電流。增強(qiáng)型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040303
90 低頻跨導(dǎo) （low-frequency transconductance）：在低頻條件下，在漏源電壓為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量（）與引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量（ ）之比稱(chēng)為跨導(dǎo)，即 。E50601040304
91 N溝道（N-channel）：通常把P型襯底表面形成的N型薄層稱(chēng)為反型層，該反型層形成漏、源之間的N型導(dǎo)電溝道，簡(jiǎn)稱(chēng)N溝道。E50601040102
92 P溝道（P-channel）：通常把N型襯底表面形成的P型薄層稱(chēng)為反型層，該反型層形成漏、源之間的P型導(dǎo)電溝道，簡(jiǎn)稱(chēng)P溝道。E50601040103
93 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（enhancement type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零時(shí)漏極電流為零，即沒(méi)有導(dǎo)電溝道。依靠外加?xùn)艍旱恼蛟黾?，形成感生溝道，使漏極電流逐漸增加。這種導(dǎo)電溝道從無(wú)到有的過(guò)程稱(chēng)為增強(qiáng)。具有這種工作特點(diǎn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。E50601040104
94 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（depletion type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零并且漏極電壓一定時(shí)，就有較大的漏極電流，即存在導(dǎo)電溝道。隨外加?xùn)艍旱姆聪蛟黾?，漏極電流逐漸減小。這種導(dǎo)電溝道從有到無(wú)的性質(zhì)稱(chēng)為耗盡。具有這種工作特點(diǎn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。E50601040105
95 轉(zhuǎn)移特性（transfer characteristics）：轉(zhuǎn)移特性表征了在一定的下，與之間的關(guān)系：它是柵源電壓 對(duì)漏極電流 的控制作用的體現(xiàn)。E50601040201
96 電力電子技術(shù)（power electronics）：電力電子技術(shù)是一門(mén)介于電力、電子和自動(dòng)控制三大技術(shù)領(lǐng)域之間的邊沿學(xué)科，或者說(shuō)是以電力為對(duì)象的電子技術(shù)。它是利用電力半導(dǎo)體器件進(jìn)行電能變換和控制的技術(shù)，其應(yīng)用已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。E50606000001
97 晶閘管（thyristor）：又稱(chēng)可控硅整流器（SCR），是一種大功率的四層三端半導(dǎo)體器件，習(xí)慣叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅。所有這些器件統(tǒng)稱(chēng)為晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管。通常所說(shuō)的可控硅就是普通晶閘管，所有派生器件則屬于特殊晶閘管。E5060601000198 可控整流（controlled rectification）：在晶閘管承受正向電壓的時(shí)間內(nèi)，通過(guò)改變觸發(fā)脈沖相位從而改變晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)控制整流輸出電壓的大小，這種整流方式稱(chēng)為可控整流。
|
|
 |
|
會(huì)員_a.png)
